再突破！西安紫光国芯技术创新成果荣获陕西省科技进步奖

四月九日，陕西省人民政府发布了《陕西省人民政府关于2023年陕西省科技奖励的决定》，西安紫光国芯SeDRAM®技术成果“三维异质集成高带宽低功耗动态随机存储芯片关键技术及应用”获得陕西省科技进步奖二等奖，成为企业自主研发的少数获奖项目之一。

Xi安紫光国芯针对处理器和存储器性能不平衡的“存储墙”困境，创新性地提出了三维异质集成DRAM架构。该架构显著提高了访问带宽，降低了单位比特能耗，大大提高了访问效率，为海量数据运输速度慢、运输能耗高的性能瓶颈提供了领先的解决方案。

“计算机、手机等设备的处理器和存储器之间有大量的数据交换，就像我们生活中两个邻近城市之间有大量的车辆往来一样，但通勤效率低的问题往往是由于各种道路条件的限制造成的，比如两者之间没有高速公路，或者只能通过高速-国道-省道等组合通勤。目前，处理器与存储器之间的大量数据交换也面临着类似严重的“通勤问题”，技术人员一直在努力解决这一问题。Xi安紫光国芯总经理江喜平表示，三维堆叠嵌入式DRAM技术通过将计算单元和存储单元垂直堆叠起来，实现了两者之间的高密度直接连接，利用超大带宽存储技术解决了处理器和存储器之间的数据交换问题，就像在两个邻近城市之间建造了一条宽阔的直接连接高速公路，有效解决了数据交换中的“通勤问题”，使计算机、手机等设备具有更好的性能。

DRAM技术是世界领先的嵌入式技术

据悉，近五年来，Xi安紫光国芯的SeDRAM技术一直处于行业领先水平，在大带宽、高计算能力等领域具有明显的竞争优势。围绕这一技术成果，Xi安紫光国芯已经布局了100多项相关专利，实现了产品化和大规模应用。采用Xi安紫光国芯SeDRAM技术的多种芯片产品实现了大规模量产，累计出货超过100万件，取得了良好的市场反响，创造了超过10亿的经济效益，引起了业界的广泛关注。

值得注意的是，SeDRAM技术作为一种超大带宽、超低功耗的大容量电影存储解决方案，在人工智能大模型和高性能计算芯片等应用领域具有独特的技术和性能优势。未来几年，预计将有多种相关产品进入市场。

集成电路产业是电子信息产业的核心，是支撑国民经济社会发展的战略、基础和先导产业，也是我国目前需要突破的关键领域之一。“Xi安紫光国芯将充分发挥SeDRAM架构大带宽、低功耗的核心优势，凭借其丰富的技术积累和资源优势，不断推出更先进的产品和技术解决方案，深入挖掘和探索该技术在人工智能等前沿领域的创新应用场景，为集成电路产业的发展提供坚实的技术支持和动力。”江喜平说。（通讯员 张静攀）