伴随着全球集成电路产业的发展进入“后摩尔时代”，集成电路芯片性能的难度和成本不断提高，人们渴望寻找新的技术解决方案。集成光电技术是一种颠覆性的技术，它以硅光技术和膜酸锂光子技术为代表，应对这一瓶颈问题。其中，浣熊酸锂被称为“光学硅”，近年来受到广泛关注。哈佛大学等国外研究机构甚至提出了建设新一代浣熊酸锂谷的方案，模仿“硅谷”模式。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧信研究员团队与合作伙伴另辟蹊径，选择可批量生产的鲟酸锂膜作为研究对象，挖掘出了与鲟酸锂相比，它在光电性能和批量生产方面具有更大的优势。其中，特性如极低光学损耗、高效电光转换等，有望为突破四大瓶颈问题提供解决方案，即通信领域的速度、功耗、频率和带宽，并在低温量子、光学计算、光学通信等领域催生革命性技术。五月八日，国际学术期刊《自然》发表了相关成果。
欧欣研究人员表示:“与薄膜钒酸锂相比，薄膜钒酸锂更容易制备，制备效率更高。”硅基钒酸锂异质晶圆的制备工艺更接近绝缘体上的硅，因此钒酸锂薄膜可以实现低成本、大规模制造，具有很高的应用价值。
值得一提的是，欧信团队孵化的上海新硅聚合半导体有限公司，已具备量产异质晶圆的能力，率先在世界范围内开发了8英寸异质集成材料技术，为国内光学和射频芯片更大规模的发展奠定了核心材料基础。
8英寸硅基薄膜φ酸锂晶圆。受访者提供
题图来源：受访者
来源：作者：黄海华
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