本报记者 徐一鸣 见习记者 金婉霞
日前，中微半导体设备（上海）股份有限公司（下称：中微公司）推出了自主研发的两款新设备：12英寸高深宽比金属钨沉积设备PReforma Uniflex®HW、12英寸原子层金属钨沉积设备Preforma Uniflex®AW。
记者了解到，这两台设备均可灵活配置多达五个双反应台的反应腔，在保证较低生产成本的同时，实现较高的生产效率。在硬件上，中微公司开发的可实现钝化时间从毫秒级到千秒级的控制系统，可满足多种复杂结构的填充。
中微公司董事、集团副总裁、CVD产品部及公共工程部总经理陶珩表示：“这两款设备优异的台阶覆盖率和低电阻特性，使其可以满足多种复杂和三维结构的金属钨填充需求。随着半导体技术的不断进步，原子层沉积技术因其卓越的三维覆盖能力和精确的薄膜厚度控制而日益受到重视，预计未来将会有更广泛的应用需求。公司新推出的这两款新设备，进一步扩充了中微公司薄膜设备产品线，不仅展示了我们在原子层沉积领域的先进技术水平，也证明了我们拥有强大的产品开发和应用开发能力，标志着我们在半导体领域中扩展了全新的工艺应用，这将为我们公司的持续增长和长期发展提供广阔的空间。”
（编辑 张钰鹏）
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