来源：techinsights

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当谈到3D 在NAND单元效率下，垂直单元效率（VCE）特别重要的是NAND单元的工艺、设计、集成和器件操作。单元的VC孔高度也随着堆叠总门数的增加而增加。通过减少虚拟门、通道门和选择门的数量，可以提高垂直单元的效率，从而降低VC高度和长宽比。在总门数中，垂直单元效率可定义为有效单元的百分比，这意味着它可以通过有效WL数除以集成总门数来计算。

举例来说，一个NAND串由有效的WLD串组成、由通道WL(虚拟WL)和选择器(源端和漏端)组成。若有96个有效WL和115个总门数，则垂直单元的效率为83.5%，可通过96除以115获得。垂直单元效率越高，越有利于工艺集成，长宽比越低，吞吐量越低。

长江存储，三星，SK海力士，美光，铠侠 3D NAND垂直单元效率较高 第1张

3D 垂直单元的NAND效率趋势：三星，SK hynix/Solidigm、美光，铠侠/西数，长江储物

  • 在每一代产品中，三星都有最高的VCE。举例来说，128L的单层结构VCE是94.1%，COP是176L。 V-第二代COP是NAND92.1%，236L V-94.8%的NAND。

  • SK hynix 总门数为259个，VCE为91.9%，仍然低于三星的236L。

  • 长江存储232L VCEXtacking391.7%，排名第三。

  • 91%的美光232L。

  • VCE略低于铠侠162L，为88%。