一、光刻胶「链接」定义与分类
光刻胶，又称光致抗腐蚀剂，是指耐腐蚀剂的薄膜材料，其溶解度通过紫外线、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射而变化。对光敏感的混合液体由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成，在光刻过程中被用作防腐涂料。
增感剂：是光刻胶的关键成分，对光刻胶的感光度、分辨率起着决定性的作用。
感光树脂：用来将不同材料聚合在一起，决定光刻胶的硬度、柔韧性、附着力等特性。
溶剂：是光刻胶中最大的成分，目的是使光刻胶处于液体状态。
图表1：光刻胶分类及应用领域
二是光刻胶产业链
产业链上游：主要涉及原材料供应商，如溶剂、树脂、光敏剂等，以及光刻机、显影机、检测和测试等设备供应商。中国光刻胶原料市场主要由日本、韩国和美国制造商占据，因为中国从事光刻胶原料研发和生产的供应商很少。从设备市场来看，中国在光刻机、显影机、检测测试设备等行业起步较晚，设备制造技术壁垒较高，导致中国光刻胶、显影机、检测测试设备的国产化程度低于国外市场。
产业链中游:包括PCB光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶等制造环节。全球光刻胶主要由日本R制造。、中国光刻胶行业起步较晚，生产能力主要集中在信越化学、住友化学、东京应化、美国陶氏化学等制造商的垄断上。 PCB 光刻胶，而且中国本土企业在光刻胶市场的份额较低，与国外光刻胶制造商相比，高端光刻胶生产的大量专利在海外龙头企业中仍存在明显差距。
产业链下游：主要涉及半导体、平板显示屏、PCB等领域。随著消费升级，应用终端产品迭代速度的提高，半导体、平板显示和下游应用领域的企业 PCB制造对光刻胶产业的持续发展提出了越来越精细化的要求。下游光刻胶的应用分布比较均衡，其中 LCD 光刻胶占光刻胶总消耗量的比例达到 半导体用光刻胶，27%，PCB 光刻胶占24%，其它类型的光刻胶占25%。
图表2：光刻胶产业链
三是半导体光刻胶的竞争格局
1)全球半导体光刻胶的竞争格局
半导体光刻胶是产业链中技术难度最大、增速最快的环节。在集成电路制造过程中，光刻和蚀刻技术是精细电路图形加工中最重要的技术，占芯片制造时间的比重 40-50%，占制造成本的30%。根据曝光波长的不同，半导体光刻胶可分为 g 线（436nm）、i 线（365nm）、KrF（248nm）、ArF(193nm)和新兴的 EUV 光刻胶5大类，高端光刻胶指南 KrF、ArF 和 EUV 同一面积的硅晶圆布线密度越高，光刻胶性能越好。
图表3：光刻胶的市场份额
如图所示，全球前五大半导体光刻胶制造商占全球光刻胶市场的87%。其中，日本占4家，分别是R、东京应化(TOK)、信越化学和富士电子材料市场份额达到72%，市场集中度明显。因此，在半导体光刻胶细分领域，日本制造商在高端市场有很强的话语权。
中国半导体光刻胶的竞争格局
我国高端光刻胶自给率仍保持在较低水平，90%的半导体光刻胶市场主要依靠进口。尽管国内光刻胶市场保持了良好的增长趋势，但KrF、以ArF光刻胶为代表的半导体光刻胶国内市场份额依然较小，国外巨头垄断了高端光刻胶市场。
从技术水平来看，中国光刻胶的技术水平与国际水平相差甚远，主要集中在技术含量较低的PCB光刻胶领域，而半导体光刻胶和LCD光刻胶自给率较低。具体来说，半导体光刻胶中的g线/i线光刻胶国产化率为10%，而ArF/KrF光刻胶国产化率仅为1%，最高端EUV光刻胶目前仍处于研发阶段。
综上所述，光刻胶行业是一项技术壁垒高、设备壁垒高、原材料壁垒高的高科技技术。中国在这个行业起步较晚，技术水平与国外企业差距较大。虽然发展速度很快，但还有很大的提升空间。在未来国家的政策支持下，中国将在科技产业“卡脖子”问题上取得突破，进一步提升中国科技水平在国际上的竞争力。
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